OnePlus utilizzerà lo storage UFS 3.0 sul suo prossimo smartphone?

Sempre più spesso si rincorrono le voci circa la possibilità che ONEPLUS monti sul suo prossimo smartphone (OP7) memorie di tipo UFS 3.0.

La notizia, se confermata, insieme all’adozione del nuovissimo Qualcomm Snapdragon 855, darebbe una notevole spinta alla famosa “Speed=Velocità” del nuovo gioiello di OnePlus.

Memorie di storage UFS e RAM

Forse non tutti sanno che la velocità di uno smartphone nel rispondere ai comandi che gli impartiamo, non dipende solo dalla potenza del processore ma anche da tutta una altra serie di componenti.

Tra questi abbiamo le memorie, sia la RAM che la ROM, un po’ come nei PC.

Per le RAM il top ad oggi sono le memorie denominate LPDDR4X, presenti da qualche anno e in odore di sostituzione con le nuove LPDDR5 (pare però che ci vorrà il prossimo anno 2020 per vederle su uno smartphone).

Per le ROM invece parliamo di UFS (Universal Flash Storage), tecnologia giunta alla versione 3.0 che porta con sè notevoli miglioramenti nella velocità e gestione dei dati. Si parla di un +100% nelle prestazioni rispetto alle attuali memorie UFS 2.1 montate sui principali smartphone top di gamma attualmente in commercio. Un dato veramente impressionante che farebbe letteralmente volare i nostri smartphone.

UFS 3.0, le memorie degli smartphone mettono il turbo

JEDEC Solid State Technology Division, ovvero l’organismo di standardizzazione dei semiconduttori, ha ufficializzato già lo scorso anno al Mobile World Congress di Barcellona 2018 il nuovo standard UFS 3.0 per le memorie degli smartphone.

Si tratta di uno step evolutivo importante, che consentirà soprattutto ai dispositivi di fascia alta di compiere un ulteriore salto di qualità in termini di prestazioni.

Innanzitutto occorre ricordare come le UFS (Universal Flash Storage) siano memorie flash impiegate in diversi dispositivi di dimensioni contenute, non necessariamente smartphone. Nell’ambito dei dispositivi mobili però, vengono montate a bordo dei top di gamma, essendo decisamente più performanti delle eMMC anche se più costose.

Caratteristiche tecniche delle UFS 3.0

Il nuovo standard 3.0 consentirà, almeno sulla carta, la trasmissione di dati fino a 11,6 Gbps a singola corsia e fino a 23,2 Gbps a doppia corsia.

In termini pratici, si tratta di un vero e proprio raddoppio di velocità rispetto alle attuali UFS 2.1, riuscendo contemporaneamente a diminuire i consumi (il voltaggio di esercizio è stato portato a 2,5V dai 2.7-3.6V delle UFS 2.1)

Le memorie UFS 3.0 saranno inoltre in grado di resistere a sbalzi termici compresi tra i -40°C e i +105°C, aprendo a tutta una serie di nuovi utilizzi in dispositivi differenti dagli smartphone.

Al di là dei dati tecnici, le memorie incidono notevolmente sulla reattività generale degli smartphone. Un simile step evolutivo, come quello che dovrebbe essere garantito dallo standard UFS 3.0, potrebbe davvero rappresentare un’evoluzione per le prestazioni dei dispositivi mobili non indifferente.

Introduzione nel mercato delle memorie di massa LPDDR5 e UFS 3.0

Durante il Summit 4G/5G di Qualcomm svoltosi in Hong Kong lo scorso Ottobre 2018, tra gli altri argomenti, si è toccato anche quello riguardante memorie di massa per il mondo mobile.

I principali Player del settore (Samsung e Micron) hanno confermato i seguenti step:

• A partire dalla prima metà del 2019 produzione di massa delle memorie UFS 3.0 in tagli da 128, 256 e 512GB. Micron ha poi confermato l’arrivo per il 2021 dei primi smartphone dotati di 1TB di memoria integrata !.
• Sul fronte RAM invece, le prime versioni LPDDR5 (successive alle attuali LPDDR4X) arriveranno a partire dal 2020. A titolo informativo le RAM LPDDR5 consentiranno di incrementare l’ampiezza di banda delle attuali memorie LPDDR4x sino a raggiungere i 51,2 GB/s, il tutto senza trascurare l’aspetto dei consumi energetici, ridotti del 20%.

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